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INNOVATIONEN AUS EINER HAND
VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS
Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.
Wie lassen sich GaN-basierte Transistoren für Hochfrequenzanwendungen zuverlässiger machen? In Ihrer Promotion gehen Sie dieser Frage auf den Grund: Sie untersuchen Degradationsmechanismen und entwickeln Ansätze, um die Bauelemente gezielt zu verbessern. Dabei arbeiten Sie eng mit Kolleginnen und Kollegen aus Technologie, Epitaxie und Messtechnik zusammen.
Hier sorgen Sie für Veränderung
- Sie führen Zuverlässigkeitsuntersuchungen durch, analysieren degradierte Bauelemente und tragen aktiv zur Identifizierung physikalischer n Fehler-Mechanismen bei.
- Mithilfe von Simulationen optimieren Sie die Bauelemente und entwickeln sie gezielt weiter.
- Sie entwickeln robuste Methoden zur elektrischen Charakterisierung und zur Bewertung der Zuverlässigkeit.
- Die Planung, Durchführung und Prozessbegleitung von Technologieexperimenten zur Herstellung von GaN HEMTs mit verbesserter Zuverlässigkeit ist ebenfalls Teil Ihres Aufgabengebiets.