Wissenschaftler*in (all genders) - Molekularstrahlepitaxie (III-V-Halbleiter)

Fraunhofer-GesellschaftFreiburg, Baden-WurttembergOn-siteFull-timeMid level, 2–5 yearsListed 4 hours ago

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About this role

INNOVATIONEN AUS EINER HAND
VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.

Wir suchen Sie als Wissenschaftler*in (all genders) mit Expertise in der Molekularstrahlepitaxie (MBE) von III-V-Heterostrukturen für elektronische und optoelektronische Anwendungen.

In der Abteilung »Epitaxie« stärken wir mit unserer Pilotlinie die europäischen Halbleiterfertigungskapazitäten. In enger Zusammenarbeit mit der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) leisten wir einen wichtigen Beitrag zur Wettbewerbsfähigkeit Europas im Bereich der Halbleitertechnologien.

Mit unseren hochmodernen Pilotproduktionsanlagen für die Molekularstrahlepitaxie (MBE) fertigen wir epitaktische Wafer auf Basis von III-V-Verbindungshalbleitern für mikroelektronische und optoelektronische Bauelemente in Hochfrequenz- und photonischen Anwendungen.

In dieser Position stellen Sie den zuverlässigen Betrieb und die kontinuierliche Weiterentwicklung unserer MBE-Technologie sicher. Mit einer ausgeprägten Kundenorientierung unterstützen Sie die erfolgreiche Überführung innovativer Halbleiterlösungen vom Labor in die industrielle Fertigung – von „Lab to Fab“.

Hier sorgen Sie für Veränderung

- Sie sorgen für den reibungslosen Betrieb der Multi-Wafer-MBE-Produktionsanlagen, indem Sie die präventive Wartung übernehmen und Störungen sowie Fehler zielgerichtet beheben.

- Sie treiben die MBE-Produktionsprozesse für III-V-Heterostrukturen im Team aktiv voran und optimieren diese gezielt im Hinblick auf Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.

- Sie vernetzen sich eng mit den Abteilungen für Technologie, Mikroelektronik und Optoelektronik, um gemeinsam innovative und wegweisende Lösungen zu verwirklichen.

- Sie werben nationale und internationale Projekte ein, leiten diese eigenverantwortlich und legen Ihren Fokus dabei auf den industriellen Technologietransfer sowie die Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie.